Prace nad DDR4 rozpoczęły się parę ładnych lat przed skomercjalizowaniem DDR3 i minęło prawie 9 lat od kiedy stworzono pierwszy szkic DDR4 do momentu pojawienia się ich na rynku. Odnosząc się do wypowiedzi Samsunga, prototypy nowych pamięci, będących następcami DDR4 pojawią się w 2018 roku, a ich wykorzystanie w pierwszych płytach głównych i układach rozpocznie się w 2020 roku.
Następca DDR4 będzie skierowany do serwerów, komputerów stacjonarnych i laptopów co oznacza, że będą to układy skalowalne jeżeli chodzi o ich pojemność, wydajność, pobór energii i koszty. Urządzenia mobilne dalej będą korzystać z LPDDR4, natomiast opierające się na przepustowości urządzenia takie jak karty graficzne na masową skalę będą korzystać z technologii HBM. Przeznaczenie na rynek mobilny czy karty graficzne to nie to czego oczekuje się od kolejnej generacji pamięci DRAM.
Na IDF 2015 firma Samsung Electronics pokazała kilka wstępnych możliwości w których sprawdziłaby się nowe kości pamięci. Transfer danych nowej generacji modułów DRAM ma wzrosnąć do 6,4Gb/s na pin wraz z możliwością przyśpieszenia w ramach dopracowywania technologii. Pozwoliłoby to na moduły o przepustowości 51,2GB/s. Pojemność nowych modułów powinna wzrosnąć z 4 czy 8Gb dostępnych dziś, do 32Gb wraz z cyklem życia następcy DDR4, co pozwoliłoby produkować tanie pamięci o pojemności 32GB. wzrost pojemności DRAM jest także bardzo ważny ze względu na ciągły wzrost zapotrzebowania na większą pojemność.
Układy krzemowe nowych pamięci będą produkowane w procesie technologicznym poniżej 10nm, taką informację można wyczytać ze slajdów zademonstrowanych przez Samsunga.
Aktualnie DDR4 oferuje już bardzo dużą wydajność, jednak ma ona pewne ograniczenia: nie więcej niż dwa moduły pamięci na kanał (oczywiście dopóki nie będziemy używać specjalnych buforów), maksymalne częstotliwości taktowania w okolicach 4,26GHz – standard JEDEC (jest to jednak umowna granica, gdyż jeszcze żaden układ jej nie osiągnął, a z pewnością w ramach dopracowywania pojawią się takie które i to przewyższają), a także ograniczona ilość urządzeń pamięci na pionowo układany chip. Następca tej technologii powinien poradzić sobie z tymi problemami, jednak do tego potrzeba kilku poważnych zmian w ogólnej architekturze pamięci. Na przykład niektóre rzeczy jakie chce zawrzeć Samsung wymagają użycia optycznych interfejsów jak i układów produkowanych jako tzw 2,5D lub 3D (coś jak pamięci SSD Samsunga 3D VNAND).
Aktualnie jeszcze nie wszystko jest jasne w kwestii następcy DDR4, wliczając w to interfejs czy architekturę rdzenia krzemowego. Jeżeli producenci DRAM zdecydują się radykalnie zmienić interfejs i architekturę właśnie, która będzie używana począwszy od 2020 roku to wtedy takie rzeczy będą dostępne.
Samsung spodziewa się pierwszych prototypów w 2018 roku. Wprowadzenie ich na rynek zależy od wielu czynników wśród których wlicza się skalowanie DDR4 jeżeli chodzi o transfery i napięcia jak i oczekiwania rynku. Mając w pamięci wszystkie szczegóły związane ze standaryzacją nowego typu DRAM spokojnie można przyznać że data 2020 jest tą najwcześniejszą, jeżeli chodzi o debiut rynkowy układów.
